技術(shù)編號(hào)：6983983
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到薄膜半導(dǎo)體器件及在半導(dǎo)體器件中所用的半導(dǎo)體襯底片，及其制造方法。背景技術(shù) 眾所周知，薄膜半導(dǎo)體器件或薄膜晶體管(TFT)都包含襯底，其中的半導(dǎo)體材料薄膜層如硅制作在絕緣材料基層如無(wú)堿玻璃或石英玻璃上。在此半導(dǎo)體薄膜層中，制作多個(gè)含源區(qū)和漏區(qū)的溝道，每個(gè)溝道都配有由絕緣膜與上述區(qū)域隔開(kāi)的柵極。在上述薄膜半導(dǎo)體器件中，在柵極與溝道區(qū)之間夾有柵極絕緣體。此絕緣體通常是由氧化硅膜制成的，且此膜通常要求在低溫下形成。因此，在制作上述氧化硅膜時(shí)，不能使用如...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。