技術(shù)編號(hào)：6985315
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般而言是關(guān)于非揮發(fā)性半導(dǎo)體內(nèi)存裝置的制造方法。特別是，本發(fā)明是關(guān)于SONOS型式的非揮發(fā)性內(nèi)存裝置的制造方法改良?，F(xiàn)有技術(shù)現(xiàn)有的電可擦除的可程序只讀存儲(chǔ)器(electrically erasableprogrammable read only memory，EEPROM)的浮動(dòng)?xùn)艠O閃存型式為使用存儲(chǔ)單元，該存儲(chǔ)單元的特征為通過(guò)信道氧化物的垂直堆棧、在該信道氧化物上方的第一多晶硅層、在該第一多晶硅層上方的氧化物-氮化物-氧化物(oxide-nitri...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。