技術編號：6986562
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。光電子半導體器件本發(fā)明涉及一種光電子半導體器件，尤其是LED，其具有包含銦的磷化物半導體材料或氮化物半導體材料。本專利申請要求德國專利申請10 2009 004 895. 2的優(yōu)先權，其公開內容通過引用結合于此。在用于通?；贗nGaAlN或hGaAlP的光電子器件的半導體層的外延制造中，在優(yōu)化的工藝條件下通常出現(xiàn)不期望的效果。在由InGaAlN構成的外延半導體層中可以形成富銦區(qū)域，所謂的簇。在簇的區(qū)域中形成可導致形成晶體缺陷的高的局部應力，其作為非發(fā)射復...
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