技術(shù)編號(hào):6986682
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路(IC)。更具體來說,本發(fā)明提供用于在半導(dǎo)體芯片內(nèi)布置有源和無源裝置的技術(shù)。背景技術(shù)圖1為常規(guī)CMOS設(shè)計(jì)100的說明。常規(guī)設(shè)計(jì)100包括襯底102和升高的金屬層 Ml到Mn。在此實(shí)例中,重新分布設(shè)計(jì)層(Redistributed Design Layer,RDL) 101包括金屬氧化物,且因此還可被稱作金屬層。升高的金屬層Ml到Mn在后段工藝期間進(jìn)行制造,且被稱作后段工藝(BEOL)層103。有源層106被制造在襯底102上,且包括例如...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。