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技術(shù)編號(hào)：6986781

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本發(fā)明涉及微電子器件，更具體地涉及在碳化硅中形成的金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)。 背景技術(shù) 近年來，需要大功率處理能力(＞20瓦)、同時(shí)在高頻例如射頻(500MHz)、S波段(3GHz)和X波段(10GHz)下工作的電路已經(jīng)很流行。由于大功率、高頻電路的增加，就相應(yīng)增加了對(duì)既能處理較大功率負(fù)載同時(shí)又能在射頻并在更高頻率下可靠地工作的晶體管的需求。以前，雙極晶體管和功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)已經(jīng)用于大功率應(yīng)用，但是在較高工作頻...
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