技術(shù)編號(hào)：6986831
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使碳化硅原料升華，使碳化硅結(jié)晶在籽晶上成長(zhǎng)的。背景技術(shù)碳化硅(SiC)因?yàn)槟蜔嵝约皺C(jī)械強(qiáng)度良好，對(duì)于放射線也耐受性較強(qiáng)等的物理、 化學(xué)性質(zhì)，作為耐環(huán)境性半導(dǎo)體材料受到關(guān)注。但是，SiC是具有即使化學(xué)組成相同、也取許多不同的結(jié)晶構(gòu)造的結(jié)晶多形(多型)構(gòu)造的代表性的物質(zhì)。該多型在結(jié)晶構(gòu)造中將Si與 C結(jié)合的分子作為一個(gè)單位考慮的情況下，因?yàn)樵搯挝粯?gòu)造分子在結(jié)晶的C軸方向αοοοι] 方向)上層疊時(shí)的周期構(gòu)造不同而發(fā)生。這里，作為代表性的多型，有6H、...
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