技術(shù)編號：6986992
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光電二極管以及光電二極管陣列。 背景技術(shù)作為在近紅外光的波段具有高的分光靈敏度特性的光電二極管，已知有使用化合物半導(dǎo)體的光電二極管(例如參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1中所記載的光電二極管包括 第1受光層，其由InGaAsN、InGaAsNSb及InGaAsNP中的任意一者構(gòu)成；以及第2受光層，其具有比第1受光層的吸收端更長波長的吸收端，且由量子阱構(gòu)造構(gòu)成。專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2008-153311號公報(bào)發(fā)明內(nèi)容發(fā)明所要解決的問題然而，這樣的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。