技術(shù)編號：6987607
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體基板、半導(dǎo)體基板的制造方法、半導(dǎo)體基板的判定方法以及電子器件。背景技術(shù)特開平7-14850號公報(bào)公開了一種異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管，其結(jié)構(gòu)為以不摻雜GaAs 層和不摻雜InGaAs層為活性層，以一部分中添加了 Si的AWaAs層夾持活性層。特開平 10-56168號公報(bào)公開了一種場效應(yīng)晶體管，該場效應(yīng)晶體管的下部載流子供給層與溝道層的界面附近的電子親和力的差大于溝道層與上部載流子供給層的界面附近的電子親和力的差。特開平 11-354776號公報(bào)公...
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