技術(shù)編號：6988967
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在SOI (絕緣體上硅)襯底的制造中副產(chǎn)生的半導(dǎo)體襯底的再加工方法及SOI襯底的制造方法。背景技術(shù)近年來，對使用在絕緣表面上設(shè)置有薄單晶硅層的SOI襯底而代替塊狀硅晶片的集成電路進(jìn)行研究開發(fā)。通過有效地利用形成在絕緣表面上的薄單晶硅膜的特長，可以將集成電路中的晶體管形成為彼此完全分離。并且，可以將晶體管做成完全耗盡型。因此，可以實現(xiàn)高集成、高速驅(qū)動、低耗電壓等附加價值高的半導(dǎo)體集成電路。作為SOI襯底的制造方法之一，可舉出智能切割(Smart C...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。