技術(shù)編號(hào):6989856
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及二極管電路,尤其是關(guān)于集成二極管電路。背景技術(shù) EP 1146567 A1公開(kāi)了一種二極管以及其制造方法。此二極管之實(shí)施例是一pin二極管,并包括于其上沉積一輕度摻雜n導(dǎo)電區(qū)域之重度摻雜n導(dǎo)電硅基板。于該輕度摻雜n導(dǎo)電區(qū)域之上設(shè)置有一重度摻雜p導(dǎo)電區(qū)域。該輕度摻雜區(qū)域是通過(guò)在該重度摻雜硅基板上之外延(epitaxy)所形成,而其中該重度摻雜p導(dǎo)電區(qū)域是通過(guò)該外延區(qū)域中之植入所產(chǎn)生。在平面視圖中為圓形之pin二極管包括一隔離溝槽(trench)延伸...
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