技術(shù)編號:6990227
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在用于太陽能電池等的大面積基板上形成硅等的薄膜的技術(shù)。技術(shù)背景薄膜硅太陽能電池與本體型的結(jié)晶硅太陽能電池比較,硅的消耗量少,大面積化比較容易,而且,制造成本也低,所以近年來積極研究。例如串聯(lián)型的薄膜硅太陽能電池 (以下,單稱為太陽能電池)通過在微結(jié)晶硅膜的上表面層疊非晶硅膜,在各層吸收不同的波段的光而提高光能的轉(zhuǎn)換效率。在大面積基板上形成非晶硅膜(a-Si膜)、微結(jié)晶硅膜(μ C-Si膜)的情況下, 例如采用在真空環(huán)境下,使甲硅烷(SH4)氣體與...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。