技術(shù)編號(hào)：6991671
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體納米線(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。背景技術(shù)納米線(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)包括納米線(xiàn)的摻雜的部分，該部分接觸溝道區(qū)域并且充當(dāng)器件的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。使用離子注入以摻雜小直徑納米線(xiàn)的之前制造方法可能導(dǎo)致納米線(xiàn)的不期望的非晶化或不期望的結(jié)摻雜分布。發(fā)明內(nèi)容在本發(fā)明的一個(gè)方面中，提供了一種用于形成納米線(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)器件的方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底之上形成懸掛的納米線(xiàn)；形成環(huán)繞納米線(xiàn)的一部分的柵極結(jié)構(gòu)；形成與柵極的側(cè)壁相鄰并且環(huán)繞納米線(xiàn)的從柵極延伸的部...
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