技術編號：6992366
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種，更具體地，涉及一種在襯底上形成薄膜的方法。背景技術一般而言，發(fā)光二極管(LED)具有順序地層疊n型層、有源層和p型層的結構。形成n型層、有源層和p型層的方法之一是金屬有機化學氣相沉積法。金屬有機化學氣相沉積法是朝向被加熱的襯底噴射金屬有機化合物氣體并在所述被加熱的襯底表面上發(fā)生化學反應從而在所述襯底表面上形成所需薄膜的方法。對于傳統(tǒng)的金屬有機化學氣相沉積法，在一個反應腔中執(zhí)行形成n型層、有源層 和P型層的所有步驟。然而，此方法的問題在于沉積...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。