技術(shù)編號(hào):6992621
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,尤其是涉及如下的半導(dǎo)體器件及適用于其制造且有效的技術(shù),所述半導(dǎo)體器件具有由介電常數(shù)高的High-k材料構(gòu)成柵極絕緣膜、且由金屬材料構(gòu)成柵電極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HK(High-k)/MG(Metal Gate)晶體管;以下記作HK/MG晶體管)。背景技術(shù)隨著場(chǎng)效應(yīng)晶體管的微型化,研究了代替以往的SiO2膜或SiON膜而采用High-k膜作為柵極絕緣膜的技術(shù)。這是為了抑制因溝道效應(yīng)而增加的柵極漏電流,并且使有效換算膜厚(EOT Equivalent ...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。