技術(shù)編號(hào)：6992672
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路的制造的領(lǐng)域，并且尤指一種在半導(dǎo)體區(qū)域上具有金屬硅化物部分以減少該半導(dǎo)體區(qū)域的片電阻(sheetresistance)的半導(dǎo)體裝置以及制造這些半導(dǎo)體裝置的方法。背景技術(shù) 在現(xiàn)代超高密度集成電路中，裝置尺寸持續(xù)地縮小以提升裝置性能及功能性。然而，縮減該特征尺寸會(huì)產(chǎn)生某些問題，該問題可能部分抵消由該縮小的特征尺寸所獲得的優(yōu)點(diǎn)。通常，縮小例如晶體管組件特征尺寸將令該晶體管組件中的溝道電阻減小，并且因此使得該晶體管的較高的驅(qū)動(dòng)電流能力及增加的切換...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。