技術(shù)編號：6992886
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)GaN系肖特基勢魚二極管(GaN-SBDSchottky barrier diode)因其物性特征而備受期待作為高耐壓且能夠高速動作的設(shè)備應(yīng)用于服務(wù)器系統(tǒng)等。為了在GaN-SBD中降低能量損失，重要的是降低通態(tài)電阻和正向電壓。對于通態(tài)電阻和正向電壓的降低，有效的是降低陽極電極(肖特基電極)的功函數(shù)。另一方面，陽極電極的功函數(shù)與反向耐壓是制衡的關(guān)系。因此，如果為了降低通態(tài)電阻和正向電壓而降低陽極電極的功函數(shù)，則反向耐壓降低。因此，為了高耐...
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