技術(shù)編號(hào):6992899
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)GaN, AIN, InN等氮化物半導(dǎo)體不僅帶隙寬,材料特性也優(yōu)秀,因而可以利用于高耐壓電子設(shè)備、短波長(zhǎng)發(fā)光設(shè)備等。特別是,有關(guān)作為高耐壓電子設(shè)備的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET,Field Effect Transistor),對(duì)高電子遷移率晶體管(HEMT,High Electron mobilityTransistor)進(jìn)行了研究,并且可以利用于高功率、高效率放大器或大功率開關(guān)設(shè)備等。但是,在以往的橫向結(jié)構(gòu)(電流相對(duì)于襯底面大致平行地流動(dòng)的...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。