技術(shù)編號：6993306
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種，特別是涉及一種適用于后柵工藝的具有超薄金屬硅化物源漏的新型半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)IC集成度不斷增大需要器件尺寸持續(xù)按比例縮小，然而電器工作電壓有時維持不變，使得實際MOS器件內(nèi)電場強度不斷增大。高電場帶來一系列可靠性問題，使得器件性能退化。MOSFET源漏區(qū)之間的寄生串聯(lián)電阻會使得等效工作電壓下降。為了減小接觸電阻率以及源漏串聯(lián)電阻，深亞微米小尺寸MOSFET常采用硅化物作摻雜源極技術(shù)(SADS)， 也即通常采用直接與溝道接觸...
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