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半導(dǎo)體器件及其制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6994442

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本發(fā)明涉及構(gòu)成MOS晶體管的柵極電極的側(cè)壁結(jié)構(gòu)和該側(cè)壁的形成方法。圖7(a)是現(xiàn)有的MOS晶體管,是示出了其柵極電極端部附近的半導(dǎo)體襯底的剖面圖。在硅等半導(dǎo)體襯底111上,形成有由硅的熱氧化膜等構(gòu)成的柵極絕緣膜112,在其上形成有柵極電極113。在半導(dǎo)體襯底111的表面區(qū)域上形成有源極/漏極區(qū)域116。柵極電極113,用由硅氧化膜構(gòu)成的柵極保護(hù)絕緣膜(側(cè)壁氧化層)114把其側(cè)面和上表面被覆起來(lái),被柵極保護(hù)絕緣膜114被覆起來(lái)的側(cè)面,被由硅氮化膜等構(gòu)成的柵極...
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