技術(shù)編號:6994982
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及光電,特別是能提高內(nèi)量子效率及外量子效率的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制作方法。背景技術(shù)以GaN材料為代表的III-V族氮化物半導(dǎo)體材料,在紫外/藍光/綠光LED、激光器、光電探測器,以及在高溫高頻大功率電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由于GaN以及AlN等材料體單晶很難獲得,目前普遍應(yīng)用的氮化物器件主要是異質(zhì)外延在藍寶石A1203、碳化硅SiC、硅Si、氧化鋅ZnO或者砷化鎵GaAs襯底上,或同質(zhì)外延生長在自支撐氮化鎵GaN襯底上。除了自支撐氮化鎵襯底外,其...
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