技術(shù)編號：6995087
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明與一種半導體元件制造方法有關(guān)，特別是一種制造具有上升發(fā)射極集電極結(jié)構(gòu)的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的方法。(2)背景技術(shù)近來，半導體工業(yè)有了非常繁榮的發(fā)展。為了獲得高性能的集成電路及提高晶片的構(gòu)裝密度，在超大型集成電路(ULSI)技術(shù)中，半導體元件的尺寸不斷的縮小。集成電路包括在晶片上特定區(qū)域中形成數(shù)以百萬計的元件及用以連接這些元件的電性連結(jié)結(jié)構(gòu)，以便能執(zhí)行所需的特定功能。而金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)便是典型的元件之...
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