技術(shù)編號:6997892
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。相關(guān)申請本申請涉及于2000年4月3日提交的、序列號為09/541,255的“在Si上形成厚松弛的SiGe層的方法”,和于2001年2月13日提交的、序列號為09/783,817的“降低Si1-xGexCMOS漏瀉電流的方法”。在厚Si1-xGex層中,通過形成錯配位錯,應(yīng)變(應(yīng)力)被塑性地松弛,R.Hull等,Nucleation of misfit dislocations in strained-layer epitaxy in theGexSi1-...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。