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技術(shù)編號：6998247

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件組件并且具體地涉及并入磁阻元件的半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件組件。背景技術(shù)作為比如用于存儲的半導(dǎo)體集成電路之類的半導(dǎo)體器件，已經(jīng)常規(guī)地廣泛使用 DRAM (動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和SRAM (靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。MRAM (磁隨機(jī)存取存儲器) 是通過磁性來存儲信息的器件并且在高速操作、抗改寫性、非易失性等上優(yōu)于其它存儲器技術(shù)。MRAM并入利用TMR (隧道磁阻)效應(yīng)的稱為MTJ (磁隧道結(jié))元件的磁阻元件并且通過磁阻元件的磁化狀態(tài)...
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