技術(shù)編號：6998285
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有穿娃導(dǎo)電插塞(through-silicon via,TSV)的堆疊晶片的，特別涉及一種堆疊晶片的，其在形成穿娃導(dǎo)電插塞之前接合(bonding)晶片，不需在接合晶片之間形成焊墊(bump pad)或使用焊料。背景技術(shù)集成電路裝置的封裝技術(shù)一直朝輕薄化與安裝可靠性的方向研發(fā)。近年來，隨著電子產(chǎn)品輕薄化與多功能性的要求，許多技術(shù)已經(jīng)逐漸為此領(lǐng)域的人所公知。以存儲器裝置為例，通過使用至少兩芯片(chip)的堆疊方式，可通過半導(dǎo)體集成工藝，生產(chǎn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。