技術(shù)編號：6998995
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。側(cè)部浮動耦合電容器器件終端結(jié)構(gòu)相關(guān)申請的引用本申請主張于2010年4月15日提交的美國臨時申請第61/324，587號的權(quán)益，其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考用于所有目的。背景技術(shù)在包括高壓器件的半導(dǎo)體器件中，期望獲得主要由漂移區(qū)電阻決定的低導(dǎo)通電阻。通常，通過增加漂移區(qū)的摻雜水平來降低晶體管的低導(dǎo)通電阻。然而，增加漂移區(qū)的摻雜水平具有降低擊穿電壓的不良效果。因此優(yōu)化漂移區(qū)的摻雜水平，以在仍然維持足夠高的擊穿電壓的同時獲得最大導(dǎo)通電阻。隨著對擊穿電壓要求的增加，...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。