技術(shù)編號:6999525
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的形成方法,特別涉及UMOS晶體管及其形成方法。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,功率器件(Power Device)作為一種新型器件,被廣泛應(yīng)用于如磁盤驅(qū)動、汽車電子等領(lǐng)域。功率器件需要能夠承受較大的電壓、電流以及功率負(fù)載。而現(xiàn)有的MOS晶體管等器件無法滿足上述需求,因此,為了滿足應(yīng)用的需要,各種功率器件成為關(guān)注的焦點。U形溝槽金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(UMOS,U-groove-metal-oxide-siIicon tr...
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