技術(shù)編號(hào)：6999905
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制造方法，特別是涉及ー種防止在半導(dǎo)體エ藝加熱用反應(yīng)系統(tǒng)內(nèi)積留水液的熱氧化系統(tǒng)和方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件以及相應(yīng)エ藝中通常需要使用絕緣性質(zhì)良好且具備化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料，特別是能與例如硅的襯底緊密結(jié)合且界面缺陷少的電絕緣材料。ニ氧化硅由于具有上述良好性質(zhì)，被廣泛應(yīng)用在MOSFETs的柵氧化層、器件保護(hù)層、電隔離層、蝕刻停止層、防擴(kuò)散層、襯墊層、層間絕緣層和電容介質(zhì)膜等等。 制備SiO2的方法有很多，包括熱分解淀積、濺射、真空蒸發(fā)、陽極...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。