技術(shù)編號(hào):7000589
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及功率半導(dǎo)體元件,尤其是分別具有垂直邊緣終端或臺(tái)面邊緣終端的功率半導(dǎo)體元件。背景技術(shù)諸如功率二極管、功率M0SFET、功率IGBT或功率晶閘管之類的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)為承受高阻斷電壓。這些功率器件包括在P摻雜半導(dǎo)體區(qū)域和η摻雜半導(dǎo)體區(qū)域之間形成的ρη結(jié)。當(dāng)ρη結(jié)反向偏置時(shí),元件阻斷或者關(guān)閉。在這種情況下,耗盡區(qū)域或空間電荷區(qū)在P摻雜和η摻雜區(qū)域中傳播。通常,這些半導(dǎo)體區(qū)域中的一個(gè)比這些半導(dǎo)體區(qū)域中的另一個(gè)更輕地?fù)诫s,使得耗盡區(qū)域主要在較輕摻...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。