技術(shù)編號(hào)：7000631
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種PIN結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器，尤其涉及一種基于異質(zhì)集成和垂直光耦合技術(shù)的采用硅基InGaAs材料的PIN結(jié)構(gòu)光電探測(cè)器，屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。背景技術(shù)硅光子學(xué)在上世紀(jì)80年代末由Soref提出，近年來進(jìn)入了快速發(fā)展期。硅作為光集成的平臺(tái)，具有良好的透光性，并且由于硅和二氧化硅之間的折射率差比較高，可以實(shí)現(xiàn)具有亞微米尺寸截面和微米級(jí)彎曲半徑的波導(dǎo)，有利于實(shí)現(xiàn)光學(xué)器件的大規(guī)模集成。而且硅基光集成技術(shù)還與CMOS工藝兼容，通過應(yīng)用高品質(zhì)和大批量的CMOS技...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。