技術(shù)編號：7000720
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體裝置，其中特別涉及具有存儲節(jié)點的DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器Dynamic Random-Access Memory)。首先按照眾所周知的技術(shù)制作附圖說明圖11所示的構(gòu)造。在圖11所示的構(gòu)造中，在硅基片1的主表面上形成傳輸門電極2，其上側(cè)覆蓋層間絕緣膜5。但是為了上下貫通層間絕緣膜5，設(shè)置位線接觸孔和存儲節(jié)點接觸孔，由于其上部露出的高度與層間絕緣膜5的上面相同而分別成為位線觸臺(bit line pads)3和存儲節(jié)點觸臺(storage ...
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