技術(shù)編號：7001369
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種磊晶基材及其加工方法，具體的說是涉及一種具有納米尺度高低不平非圖案化粗糙面的磊晶基材及其加工方法。背景技術(shù)化合物半導體材料，例如，氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁銦鎵(AlInGaN)等III-V族化合物，以及碲化鎘(CdTe)、氧化鋅(ZnO)及硫化鋅(ZnS)等II-VI族化合物，已被廣泛地檢視適合做為微電子組件的基材材料，包括但不限于晶體管、管場發(fā)射器以及光電組件等。以氮化鎵為基礎的微電子組件為例，其在制造上一個主要問題...
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