技術(shù)編號(hào)：7001795
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開(kāi)涉及，更具體地，涉及包括用于溝道層的半導(dǎo)體氧化石墨烯的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。背景技術(shù)近年來(lái)，對(duì)包括使用半導(dǎo)體石墨烯形成的溝道層的場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行研發(fā)。在現(xiàn)有技術(shù)中，已提出了幾種形成半導(dǎo)體石墨烯的方法。第一種方法是在基板上形成氧化石墨烯，然后在120°至對(duì)0°的溫度加熱和還原氧化石墨烯(參見(jiàn)“Tunable Electrical Conductivity of Individual Graphene Oxide Sheets Reduced atiLow'Te...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。