技術編號：7002647
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體設計及制造，特別涉及。背景技術長期以來，為了獲得更高的芯片密度、更快的工作速度以及更低的功耗。金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)的特征尺寸一直遵循著所謂的摩爾定律 (Moore' slaw)不斷按比例縮小，其工作速度越來越快。當前已經(jīng)進入到了納米尺度的范圍。然而，隨之而來的一個嚴重的挑戰(zhàn)是出現(xiàn)了短溝道效應，例如亞閾值電壓下跌(Vt roll-off)、漏極引起勢壘降低(DIBL)、源漏穿通(punch through)等現(xiàn)象，...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。