技術(shù)編號(hào):7003110
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用該美國(guó)非臨時(shí)申請(qǐng)根據(jù)35U.S.C§119要求2002年4月15日提交的第2002-20470號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),在此對(duì)其整個(gè)內(nèi)容進(jìn)行交叉引用。已知對(duì)于圖形的損壞是由于超聲能量的集中或液體的振動(dòng)能量產(chǎn)生的。由于半導(dǎo)體器件所要求的設(shè)計(jì)規(guī)則變得更窄了,所以對(duì)于圖形的損壞增加了。例如,如果圖形的線寬小于0.12μm,由于清潔工藝的圖形損壞就會(huì)增加。 發(fā)明內(nèi)容至少本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例提供了一種采用高頻聲能量清潔晶片的半導(dǎo)體晶片清潔裝置。該...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。