技術(shù)編號:7003114
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及永久性存儲器,且更具體地,是具有改善了容量的硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅(SONSNOS)存儲器。背景技術(shù) 圖1示出了傳統(tǒng)的快閃電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)的橫截面圖。這里,該快閃EEPROM,作為永久性存儲器,即使在切斷電源的狀態(tài)下,仍能保存數(shù)據(jù)。參考圖1,一柵極17被置于包含一源極13和一漏極15的襯底11上,且一柵極氧化物21,一浮置柵極23以及一絕緣層25依次堆疊在該柵極17和襯底11之間。通常,一閃存可以使用從...
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