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技術(shù)編號(hào)：7003154

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本發(fā)明涉及一種高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor,即HEMT)器件及制作方法，特別是柵電極材料由導(dǎo)電無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，T型柵電極采用涂布一次光刻膠和一次曝光光刻工藝完成的器件及其制造方法。背景技術(shù)高電子遷移率晶體管(HEMT)具有速度快、耐壓高、截止高頻高、環(huán)境穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。隨著器件尺寸的減小和頻率的提高，T型柵電極結(jié)構(gòu)廣泛應(yīng)用于HEMT器件?，F(xiàn)有技術(shù)的T型柵電極結(jié)構(gòu)制作方法的一種方法是采用涂布三層不同感光...
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