技術(shù)編號：7003575
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種IGBT器件，特別是指一種大電流整晶圓全壓接平板式封裝的 IGBT及其制造方法。背景技術(shù)包括晶閘管和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在內(nèi)的大功率電力半導體開關(guān)器件廣泛應用于電機節(jié)能、新能源、輸變電、軌道交通、冶金、化工等領域，是建設資源節(jié)約型和環(huán)境友好型社會不可缺少的關(guān)鍵技術(shù)之一。對該類器件的性能要求一般包括高電壓(3300 至10000伏特)、大電流(500至5000安培)、低導通及開關(guān)功耗、良好的開關(guān)可控性、較大的安全工作區(qū)、良好的導熱性能...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。