技術(shù)編號：7004190
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件，特別是涉及半導(dǎo)體元件的電極構(gòu)造。 背景技術(shù)目前，就半導(dǎo)體元件而言，為了保護半導(dǎo)體層不受外部環(huán)境影響，往往由SiO2等透光性材料構(gòu)成的絕緣層被覆。更具體而言，如圖6所示，在設(shè)于半導(dǎo)體層120上的電極130 的上面周緣設(shè)有使與絕緣層160的密接性提高的金屬層140，且從該金屬層140的上面連續(xù)至半導(dǎo)體層120由絕緣層160被覆(覆蓋)。(參照專利文獻1)專利文獻1 日本特開平11-150301號公報但是，在安裝半導(dǎo)體元件時，因為由Au等金...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。