技術(shù)編號：7005198
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的示范性實施例涉及，尤其涉及具有垂直晶體管(vertical transistor)、埋入式位線(buried bit line)的。背景技術(shù)最近，隨著廣泛使用移動設(shè)備及以更小的尺寸制造數(shù)字家庭裝置，構(gòu)成移動設(shè)備或數(shù)字家庭裝置的半導(dǎo)體存儲裝置的集成度日益提高。尤其是在DRAM裝置或快閃存儲裝置的情況下，為了在有限的空間中儲存大量的信息，已經(jīng)進行了各種嘗試。一般而言，DRAM 裝置包括晶體管及電容器，且具有堆疊結(jié)構(gòu)，在該堆疊結(jié)構(gòu)中晶體管形成在硅基板上且...
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