技術(shù)編號(hào):7006417
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)于晶片封裝體,且特別是有關(guān)于具有穿基底導(dǎo)通結(jié)構(gòu)(through-substrate via, TSV)的晶片封裝體。背景技術(shù)近來(lái),業(yè)界常于晶片封裝體中形成穿基底導(dǎo)通結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)晶片的尺寸縮小化與多功能化。為進(jìn)一步增進(jìn)晶片封裝體的功能性,需設(shè)法提升與穿基底導(dǎo)通結(jié)構(gòu)連接的導(dǎo)電通路,使晶片封裝體在持續(xù)縮小化之余,仍能具有高密度的導(dǎo)電通路。此外,業(yè)界亦亟需增進(jìn)穿基底導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性發(fā)明內(nèi)容 本發(fā)明提供一種晶片封裝體,包括一基底,具有一上表面及一下表面;...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。