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技術(shù)編號(hào)：7006419

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本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體裝置，特別是涉及ー種具有超級(jí)接面(super-junction)的功率金氧半場(chǎng)效晶體管(power M0SFET)裝置,特別是功率MOSFET裝置的外圍耐壓終端(termination)結(jié)構(gòu)和其制作方法。背景技術(shù)功率半導(dǎo)體裝置常應(yīng)用在電源管理的部分，例如，切換式電源供應(yīng)器、計(jì)算機(jī)中心或周邊電源管理1C、背光板電源供應(yīng)器或馬達(dá)控制等等用途，其種類包含有絕緣閘雙極性晶體管(insulated gate bipolar transistor,...
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