技術(shù)編號：7006764
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及肖特基二極管的原型器件及其制備方法。背景技術(shù) 肖特基二極管是利用金屬和半導(dǎo)體之間接觸勢壘進行工作的一種多數(shù)載流子器件。傳統(tǒng)的肖特基二極管反向特性較差，并且制作工藝繁瑣。制作肖特基二極管原型器件最常用的材料是Si，SiC，金剛石。Si材料不適合在高溫下工作，不宜作為大功率與抗輻射器件。SiC，金剛石價格昂貴，生長溫度高(＞1000℃)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種適合在高溫，強輻射條件下使用的肖特基二極管原型器件及其制備方法。本發(fā)明的肖特基二極管...
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