技術(shù)編號：7007499
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供，所述制造方法包括提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上沉積氧化物層；在氧化物層和半導(dǎo)體襯底中形成第一溝槽；在第一溝槽中填充硅層，以用于形成第一有源區(qū)；在氧化物層和半導(dǎo)體襯底中形成第二溝槽；在第二溝槽中填充鍺硅層，以用于形成第二有源區(qū)，其中，硅層和鍺硅層之間的氧化物層作為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，可以在所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)之間形成無隙且高度相同的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，且所述第二有源區(qū)是在鍺硅層中形成的，便于后續(xù)在其中形成鍺硅溝道區(qū)。專利說明 ...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。