技術(shù)編號：7008012
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明揭示一種供在高電壓應用中使用的介電終止的超結(jié)場效應晶體管FET架構(gòu)。所述架構(gòu)將介電終止添加到高電壓超結(jié)工藝的一般特征。所述介電終止的FET?DFET比常規(guī)的半導體終止的超結(jié)FET更緊湊且更可制造。專利說明介電終止的超結(jié)FET[0001]本專利涉及功率M0S場效應晶體管(FET)，且更特定來說，涉及超結(jié)FET。背景技術(shù)[0002]可通過在有效區(qū)中的p型和η型導電性類型材料的交替柱以及終止區(qū)中的電介質(zhì)柱來制造超結(jié)FET。[0003]通常，在垂直導電FET...
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