技術(shù)編號:7008148
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明揭露一種柵極第一高介電常數(shù)金屬柵極堆棧上無氧的快速熱退火,其中,揭示一種改善臨界電壓(Vt)的半導(dǎo)體裝置制造方法及所得的裝置。具體實(shí)施例包含于襯底上形成高介電常數(shù)金屬柵極堆棧;植入摻雜劑于襯底的主動區(qū)中;以及在氧氣不超過30%的氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行快速熱退火。專利說明柵極第一高介電常數(shù)金屬柵極堆棧上無氧的快速熱退火[0001]本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體的高介電常數(shù)金屬柵極(high-k/metal gate;簡稱HKMG)堆棧。特別可應(yīng)用在制造32納米(nm)技...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。