技術(shù)編號(hào)：7008175
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種存儲(chǔ)單元及其形成方法。該存儲(chǔ)單元包括形成于第一介電層中的開口中的第一電極，第一介電層形成于包括金屬層的襯底上，開口被配置為允許第一電極與金屬層之間的物理接觸，第一電極具有第一寬度W1并延伸超過開口限定的區(qū)域一段距離；形成于第一電極上并具有與第一寬度W1基本相同的寬度的電阻層；具有小于第一寬度W1的第二寬度W2并形成于電阻層上的覆蓋層；形成于覆蓋層上并具有與第二寬度W2基本相同的寬度的第二電極；在第一寬度W1與第二寬度W2之間形成于電阻層上并具有至少兩個(gè)...
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