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技術(shù)編號：7010358

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本發(fā)明屬于超大規(guī)模集成電路，具體涉及一種具有優(yōu)異力學(xué)性能的超低介電常數(shù)薄膜的制備方法。本發(fā)明采用C58H118O21(Brij76)、甲基三乙氧基硅烷（MTES）、1,2-二（三乙氧基硅基）乙烷（BTEE）、HCl、乙醇（EtOH）和H2O為原料，制備溶膠-凝膠溶液，然后以旋涂方法形成薄膜，并通過老化工藝穩(wěn)定孔結(jié)構(gòu)，高溫退火除去聚合物成分Brij76以形成孔洞結(jié)構(gòu)，從而制備得低介電常數(shù)薄膜。本發(fā)明所采用的聚合物分子為Brij76，其分子量較?。?150）...
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