技術(shù)編號：7010738
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種功率器件及其制造方法，具體涉及。二極管芯片包括金屬陰極和金屬陽極，P型摻雜層，N型摻雜層，以及設(shè)置在P型摻雜層與N型摻雜層之間的N型襯底，場氧化層以及鈍化保護層結(jié)構(gòu)，其陽極為低濃度P型摻雜區(qū)，陰極為低濃度N型緩沖摻雜區(qū)和低濃度N型增強摻雜區(qū)，并通過正面保護工藝形成背面注入摻雜的特殊制造方式形成器件結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過降低陽極與陰極發(fā)射極區(qū)的摻雜濃度從而降低PN結(jié)自鍵電勢差，減少P型摻雜區(qū)域注入的空穴總量，從而整體優(yōu)化了恢復(fù)二極管的性能，在保證快恢...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。