技術(shù)編號(hào)：7010888
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管及其制備方法，該結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管包括由N型半導(dǎo)體構(gòu)成的有源區(qū)，所述有源區(qū)內(nèi)設(shè)置有多個(gè)P型摻雜區(qū)，所述P型摻雜區(qū)在所述有源區(qū)的分布呈點(diǎn)陣型結(jié)構(gòu)分布，其中，任意兩個(gè)相鄰的P型摻雜區(qū)之間的距離相等，以致在相同有源區(qū)面積的情況下，本發(fā)明實(shí)施例所需要的P型摻雜區(qū)的數(shù)量和面積最小，即所謂的“死區(qū)”的面積最小。相較于現(xiàn)有技術(shù)中的P型摻雜區(qū)的分布，這種P型摻雜區(qū)的分布有利于提高結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的正向?qū)щ娔芰Α＠f明[0001]本發(fā)明...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。