技術(shù)編號：7011035
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種，包括提供硅基襯底，并依次沉積低k值介質(zhì)層、硬掩模薄膜、第一無定形碳薄膜，且在第一無定形碳薄膜上涂布第一光刻膠；曝光和顯影在第一光刻膠中，并形成第一通孔；在硬掩模薄膜中形成第二通孔；在硬掩模薄膜上沉積第二無定形碳薄膜，并涂布第二光刻膠；曝光和顯影在第二光刻膠中，并形成第一金屬槽；在低k值介質(zhì)層中形成通孔和金屬槽；實現(xiàn)導(dǎo)線金屬和通孔金屬填充。本發(fā)明通過使用第一無定形碳薄膜和第二無定形碳薄膜，并結(jié)合可形成硬膜之第一光刻膠和第二光刻膠，不僅減少了工藝材料和工...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。